Изделия,прошедшие квалификационные испытания, находящиеся в стадии оформления документации

2Д707АС9/ПК

АЕЯР.432120.260 ТУ

Март 2007г.

Изделия,находящиеся в стадии   квалификационных  испытаний

2Д706АС9/ПК

АЕЯР.432120.333 ТУ

III квартал 2007 г.

2Д803АС9/ПК

АЕЯР.432120.277 ТУ

II квартал 2007 г.

2Т679А-2,Б-2/ПК

АЕЯР.432140.327 ТУ

III квартал 2007 г..

2Т316А÷Д/ПК

АЕЯР.432140.292 ТУ

II квартал 2007

2Т3162А/ПК

АЕЯР.432140.351 ТУ

III квартал 2007

2Т3135

АЕЯР.432140.368  ТУ

II квартал 2007г.

   2Т370А-1,Б-1,А-2, Б-2

АЕЯР.432140.373 ТУ

II квартал 2007г.

2Т378А1-2,Б1-2, А-2, Б-2, Б2-1

АЕЯР.432140.436 ТУ

III квартал 2007г.

Изделия,готовые к  квалификационным  испытаниям

2Т201А÷Д/ПК

АЕЯР.432140.265ТУ

2Т203А÷Д/ПК

АЕЯР.432140.263ТУ

2Т364А-1÷В-1, А-2÷В-2,

АЕЯР.432140.372 ТУ

2Т360А-1÷ В-1, А-2 ÷ В-2         

АЕЯР.432140.369 ТУ

Изделия, находящиеся в стадии опытного производства кристаллов

2Т363А.Б,А-5,Б-5

АЕЯР.432140.370 ТУ

2Т363А-1.Б-1, А-2, Б-2

АЕЯР.432140.371 ТУ

2П303

АЕЯР.432140.411 ТУ

2П307

АЕЯР.432140.412 ТУ

2П308

АЕЯР.432140.413 ТУ

Изделия, находящиеся в стадии проектно-конструкторских разработок

2Т214А-1÷Ж-1

2Т215А-1÷Ж-1

2Т202А-1÷Д-1

Мощные полевые транзисторы  р и n  канальные, Iс от 10А (аналоги IRHN8130,  IRHN8250 IRHM8360, IRHN9130).

Аналоги мощных транзисторов MJD122 и MJD127,IRFU024, IRFU9024 (корпус КТ93-1 аналог корпуса SDМ-05)

Аналоги малошумящих СВЧ транзисторов ВFТ92 и ВFR92

Аналоги варикапов ZC829-836 Zetex.

Изделия,планируемые к освоению при наличии потребителей

2Т528, 2Т608,2Т610,2Т632,2Т638, 2Т664,2Т665,2Т913,2Т914,2Т916, 2Т3123, 2Т3123,2Т3153,2Т3187,2Т3191