|
|
2T629
Включен в перечень МОП 44001.03
Кремниевые бескорпусные эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы
2Т629АМ-2/ПК
предназначенны для применения в переключающих схемах, схемах усиления сигналов
высокой частоты средней мощности в составе гибридных интегральных микросхем,микросборок и блоков.
Транзисторы удовлетворяют требованиям КС «Климат-7» и ОСТ В 11 336.018.
1. Условное обозначение
1.1. Транзисторы поставляют одного типа, одного типономинала.
1.2. Транзисторы поставляют с гибкими золотыми выводами на металлическом кристаллодержателе
(исполнение 2 по табл.1 ОСТ В 11 336.018).
1.3. Условное обозначение транзистора при заказе и в конструкторской документации:
транзистор 2Т629АМ-2/ПК АЕЯР.432140.270 ТУ.
Габаритный чертеж
Таблица 1 - Электрические
параметры транзисторов при приемке и поставке
|
Наименование параметра,
единица измерения
(режим измерения)
|
Буквенное
обозначение
|
Норма
|
Температура
окр.среды, °С
|
|
2Т629АМ-2/ПК
|
|
не
менее
|
не
более
|
|
Граничное напряжение, В
( IК=
10 мА)
|
UКЭО гр
|
50
|
|
25
|
|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
( IК
= 500 мА, IБ = 50 мА )
|
UКЭ нас
|
|
0,8
|
25
|
|
Напряжение насыщения база-эмиттер, В
(IК= 500 мА, IБ = 50 мА )
|
UБЭ нас
|
|
1,5
|
25
|
|
Обратный ток
коллектора, мкА
(UКБ=50
В)
|
IКБО
|
|
5
|
25
|
|
IКБО
|
|
10
|
125
|
|
IКБО
|
|
5
|
-60
|
|
Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА
(UКЭ=50
В, RБЭ=1
кОм )
|
IКЭR
|
|
5
|
25
|
|
Обратный ток эмиттера, мкА
( UЭБ=4,5 В)
|
IЭБО
|
|
5
|
25
|
|
Статический коэффициент передачи тока
( UКБ = 1,2 В, IЭ = 500 мА)
|
h21Э
|
25
|
80
|
25
|
|
h21Э
|
25
|
150
|
125
|
|
h21Э
|
10
|
80
|
-60
|
|
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
( UКЭ
= 5 В, IК
=50 мА, f =100 МГц )
|
/ h21Э
/
|
2,5
|
|
25
|
|
Емкость коллекторного перехода,
пФ ( UКБ
= 10В, f = 10 МГц )
|
СК
|
|
20
|
25
|
|
Емкость эмиттерного перехода, пФ
(UЭБ
= 0,5 В, f = 10 МГц )
|
Сэ
|
|
100
|
25
|
|
Время рассасывания, нс
(IК=500
мА, IБ1= IБ2=50 мА)
|
tрас
|
|
90
|
25
|
Таблица 2 -
Предельно допустимые значения параметров электрических
режимов эксплуатации транзисторов
|
Наименование параметра режима,
единица
измерения
(режим
измерения)
|
Буквенное
обозначение
|
Норма
|
Примечание
|
|
2Т629АМ-2/ПК
|
|
Максимально допустимое постоянное напряжение
коллектор-база, В
|
UКБmax
|
50
|
1
|
|
Максимально допустимое постоянное напряжение
коллектор-эмиттер, В
(RБЭ=1 кОм)
|
UКЭRmax
|
50
|
1
|
|
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база,
В
|
UЭБmax
|
4,5
|
1
|
|
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А
|
IКmax
|
1
|
1,4
|
|
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А
|
IКmax
|
0,7
|
1,3
|
|
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора, Вт,
при Ткорп..= - 60°С ÷ 80°С
|
PК max
|
1
|
2,3
|
|
при Ткорп.=
125°С
|
0,18
|
2,3
|
|
Максимально допустимая температура перехода, °С
|
Тn.max
|
135
|
|
Примечания: 1.
Для всего диапазона рабочих температур от минус 60°С до 125°С.
2. В диапазоне температур 80°С
до 125°С максимально допустимая
мощность снижается по линей ному закону.
3. При тепловом сопротивлении переход-корпус ГС (микросборок)
≤ 55°С/Вт.
4. При тепловом сопротивлении переход-корпус ГС (микросборок)
≤ 38°С/Вт.
производство транзисторов полупроводиковых приборов диодов биполярные транзисторы краснознаменск
|
|
