// krzpp.ru / ПП приборы  ::главная::   ::о предприятии::   ::прайс::   ::новости:: 

Транзисторы
2Т208 2T3108 2T3117 2T3129 2T313 2T3130 2T326 2T368 2T368a9 2T388 2T629
Диоды
2Д707АС9/ПК


Отправить письмо krzpp@mail.ru

2T368А9
Включен в перечень МОП 44001.03

Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы

2Т368А9/ПК, 2Т368Б9/ПК

выполнены в пластмассовом корпусе КТ-46 , требующие дополнительных мер индивидуальной или общей, в составе аппаратуры, защиты от воздействия климатических и биологических факторов, предназначенные для применения в качестве комплектующих элементов монтажа в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.

1. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И РАЗМЕРЫ.

1.1. Транзисторы изготавливают одного типа, двух типономиналов.
1.2. Основные параметры транзисторов соответствуют ОСТ 11 0403.
1.3. Размеры транзисторов соответствуют ГОСТ 18472.
1.4. Пример условного обозначения транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:
транзистор 2Т3117А/ПК АЕЯР.432140.380 ТУ.

Габаритный чертеж

 

      Таблица 1 -  Электрические параметры транзисторов при приемке и поставке

 

Наименование параметра,

единица измерения

(режим измерения)

Буквенное обозначение

Норма

Температура,

окр.ср.,оС

 

2Т368А9/ПК

2Т368Б9/ПК

не менее

не более

Граничное напряжение, В

 ( IК = 10мА )                           

UКЭО гр

15

-

25

Обратный ток коллектора, мкА

(UКБ=15В)

IКБО

-

0,5

25

-

         5

100

 

0,5

-60

Обратный ток эмиттера, мкА

( UЭБ=4В)

IЭБО

-

1

25

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером

( UКБ = 1В, Iк = 10мА)

h21Э

50

300

25

40

500

100

25

300

-60

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте 

( UКБ = 5В, Iэ =10мА, f =108 Гц )

/ h21Э /

 

9

-

25

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс

(UКБ=5В,  IЭ=10мА, f=3·107 Гц )

τк

-

15

25

Коэффициент шума, дБ

(UКБ=5В, IЭ=10мА, Rг=75 Ом,

 f =6·107 Гц)

Кш*

-

3,3

25

Емкость коллекторного перехода, пФ

 ( UКБ = 5В,   f = 1·107 Гц )

СК

-

 

1,7

25

Емкость эмиттерного перехода, пФ

(UЭБ = 1В,  f = 1·107 Гц )

Сэ

-

3

25

    *   для транзисторов 2Т368А9/ПК

 

 

 

Таблица 2 - Предельно допустимые значения параметров электрических

режимов эксплуатации транзисторов

Наименование параметра режима,

единица измерения

(режим измерения)

Буквенное    обозначение

Норма

Примечание

2Т368А9/ПК

2Т368Б9/ПК

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор–база, В

UКБ  max

15

1

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор–база, В

UКБ, и  max

20

1,2

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор -эмиттер, В

(RБЭ ≤ 3кОм)

UКЭR max

15

1

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор -эмиттер, В

(RБЭ ≤ 3кОм)

UКЭR, и  max

20

1,2

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В

UЭБ  max

4

1

Максимально допустимый постоянный ток коллектора (эмиттера), мА

IК(Э)  max

30

1

Максимально допустимый импульсный ток коллектора (эмиттера), мА

IК(Э) , и max

60

1,2

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт

(при Т от минус 60ºС до 50ºС)

РК  max

 

 

100

 

(при Т от 50ºС до 100 ºС)

25

3

Максимально допустимая температура перехода, оС

Тnmax

135

 

 

Примечания:          1. В диапазоне рабочих температур от минус 60 оС до 100 оС .                    

                           

  2. При длительности импульса не более 0,5 мс, скважности не менее 2.              

 

3. В диапазоне температур от 50 до 100оС максимально допустимая постоянная мощность снижается по линейному закону.

производство транзисторов полупроводиковых приборов диодов биполярные транзисторы краснознаменск


Copyright 2006 КрЗПП Арсенал