|
|
2T368А9
Включен в перечень МОП 44001.03
Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы
2Т368А9/ПК, 2Т368Б9/ПК
выполнены в пластмассовом корпусе КТ-46 , требующие дополнительных мер индивидуальной или
общей, в составе аппаратуры, защиты от воздействия климатических и биологических факторов,
предназначенные для применения в качестве комплектующих элементов монтажа в радиоэлектронной
аппаратуре специального назначения.
1. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И РАЗМЕРЫ.
1.1. Транзисторы изготавливают одного типа, двух типономиналов.
1.2. Основные параметры транзисторов соответствуют ОСТ 11 0403.
1.3. Размеры транзисторов соответствуют ГОСТ 18472.
1.4. Пример условного обозначения транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:
транзистор 2Т3117А/ПК АЕЯР.432140.380 ТУ.
Габаритный чертеж
Таблица
1 - Электрические параметры
транзисторов при приемке и поставке
|
Наименование
параметра,
единица измерения
(режим измерения)
|
Буквенное обозначение
|
Норма
|
Температура,
окр.ср.,оС
|
|
2Т368А9/ПК
2Т368Б9/ПК
|
|
не менее
|
не более
|
|
Граничное напряжение, В
( IК = 10мА )
|
UКЭО гр
|
15
|
|
25
|
|
Обратный ток коллектора, мкА
(UКБ=15В)
|
IКБО
|
|
|
25
|
|
-
|
5
|
100
|
|
|
0,5
|
-60
|
|
Обратный ток эмиттера, мкА
( UЭБ=4В)
|
IЭБО
|
-
|
1
|
25
|
|
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттером
( UКБ
= 1В, Iк =
10мА)
|
|
50
|
300
|
25
|
|
40
|
|
100
|
|
|
|
-60
|
|
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
( UКБ
= 5В, Iэ =10мА, f =108 Гц )
|
|
|
|
25
|
|
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте,
пс
(UКБ=5В, IЭ=10мА, f=3·107 Гц )
|
|
|
15
|
|
|
Коэффициент шума, дБ
(UКБ=5В,
IЭ=10мА, Rг=75 Ом,
f =6·107 Гц)
|
|
|
3,3
|
|
|
Емкость коллекторного перехода, пФ
( UКБ = 5В, f = 1·107 Гц )
|
|
|
|
|
|
Емкость эмиттерного перехода, пФ
(UЭБ
= 1В, f = 1·107 Гц )
|
|
|
|
|
* для транзисторов
2Т368А9/ПК
Таблица 2 -
Предельно допустимые значения параметров электрических
режимов
эксплуатации транзисторов
|
Наименование
параметра режима,
единица измерения
(режим измерения)
|
Буквенное
обозначение
|
Норма
|
Примечание
|
|
2Т368А9/ПК
2Т368Б9/ПК
|
|
Максимально допустимое постоянное напряжение
коллектор–база, В
|
UКБ max
|
15
|
1
|
|
Максимально допустимое импульсное напряжение
коллектор–база, В
|
UКБ, и max
|
20
|
1,2
|
|
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор
-эмиттер, В
(RБЭ
≤ 3кОм)
|
UКЭR max
|
15
|
1
|
|
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор
-эмиттер, В
(RБЭ
≤ 3кОм)
|
UКЭR, и max
|
20
|
1,2
|
|
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база,
В
|
UЭБ max
|
4
|
1
|
|
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
(эмиттера), мА
|
IК(Э) max
|
30
|
1
|
|
Максимально допустимый импульсный ток коллектора
(эмиттера), мА
|
IК(Э) , и max
|
60
|
1,2
|
|
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора, мВт
(при Т от минус 60ºС до 50ºС)
|
РК max
|
100
|
|
|
(при Т от 50ºС до 100 ºС)
|
25
|
3
|
|
Максимально допустимая температура перехода, оС
|
Тnmax
|
135
|
|
Примечания:
1. В диапазоне рабочих температур от минус 60 оС до 100
оС .
2. При
длительности импульса не более 0,5 мс, скважности не менее 2.
3. В диапазоне температур от 50 до 100оС
максимально допустимая постоянная мощность снижается по линейному закону.
производство транзисторов полупроводиковых приборов диодов биполярные транзисторы краснознаменск
|
|