|
|
2T368
Включен в перечень МОП 44001.03
Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы
2Т368А/ПК, 2Т368А2/ПК (далее в тексте – 2Т368А/ПК),
2Т368Б/ПК, 2Т368Б2/ПК (далее в тексте – 2Т368Б/ПК)
выполнены в металлостеклянном корпусе КТ-1 и предназначены для работы в аппаратуре
специального назначения. Транзисторы удовлетворяют требованиям КС «Климат-7» и ГОСТ В 28146.
1. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И РАЗМЕРЫ.
1.1. Транзисторы изготавливают одного типа, четырех типономиналов.
1.2. Основные параметры транзисторов соответствуют ОСТ 11 0403.
1.3. Размеры транзисторов соответствуют ГОСТ 18472.
1.4. Пример условного обозначения транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:
транзистор 2Т3117А/ПК АЕЯР.432140.379 ТУ.
Габаритный чертеж
Таблица
1 - Электрические параметры
транзисторов при приемке и поставке
|
Наименование
параметра,
единица измерения
(режим измерения)
|
Буквенное обозначение
|
Норма
|
Температура,
окр.ср.
оС
|
|
2Т368А/ПК
2Т368Б/ПК
|
|
не менее
|
не более
|
|
Граничное напряжение, В
( IК = 10мА )
|
UКЭО гр
|
15
|
|
25
|
|
Обратный ток коллектора, мкА
(UКБ=15В)
|
IКБО
|
|
|
25
|
|
-
|
5
|
125
|
|
-
|
0,5
|
-60
|
|
Обратный ток эмиттера, мкА
( UЭБ=4В)
|
IЭБО
|
-
|
1
|
25
|
|
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттером
( UКБ
= 1В, Iк =
10мА)
|
|
50
|
300
|
25
|
|
40
|
|
125
|
|
|
|
-60
|
|
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
( UКБ
= 5В, Iэ =10мА, f =108 Гц )
|
|
|
|
25
|
|
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте,
пс
(IЭ=10мА,
UКБ=5В, f=3·107 Гц )
|
|
|
15
|
|
|
Коэффициент шума, дБ
(UКБ=5В,
IЭ=10мА, f =6·107 Гц,
Rг=75
Ом)
|
|
|
3,3
|
|
|
Емкость коллекторного перехода, пФ
( UКБ = 5В, f = 107 Гц )
|
|
|
|
|
|
Емкость эмиттерного перехода, пФ
(UЭБ
= 1В, f = 107 Гц )
|
|
|
|
|
* для транзисторов
2Т368А/ПК
Таблица 2 - Предельно допустимые значения
параметров электрических
режимов
эксплуатации транзисторов
|
Наименование
параметра режима,
единица измерения
(режим измерения)
|
Буквенное
обозначение
|
Норма
|
Примечание
|
|
2Т368А/ПК
2Т368Б/ПК
|
|
Максимально допустимое постоянное напряжение
коллектор–база, В
|
UКБ max
|
15
|
1
|
|
Максимально допустимое импульсное напряжение
коллектор–база, В
|
UКБ , и max
|
20
|
1,2
|
|
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор
-эмиттер, В
(RБЭ
≤ 3кОм)
|
UКЭR max
|
15
|
1
|
|
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор
-эмиттер, В
(RБЭ
≤ 3кОм)
|
UКЭR, и max
|
20
|
1,2
|
|
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база,
В
|
UЭБ max
|
4
|
1
|
|
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
(эмиттера), мА
|
IК(Э) max
|
30
|
1
|
|
Максимально допустимый импульсный ток коллектора
(эмиттера), мА
|
IК(Э) , и max
|
60
|
1,2
|
|
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора, мВт
от минус 60ºС до 65ºС
|
РК max
|
225
|
|
|
при 125 ºС
|
60
|
3
|
|
Максимально допустимая температура перехода ,оС
|
Тn max
|
150
|
|
Примечания: 1. Для всего диапазона рабочих температур
от минус 60 оС до 125 оС
.
2. При длительности
импульса не более 0,5 мс, скважности не менее 2.
3. В диапазоне
температур от 65 до 125оС максимально допустимая постоянная мощность линейно
снижается на 2,8 мВт на градус.
производство транзисторов полупроводиковых приборов диодов биполярные транзисторы краснознаменск
|
|