|
|
2T3130
Включен в перечень МОП 44001.03
Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы
2Т3130А9/ПК, 2Т3130Б9/ПК, 2Т3130В9/ПК, 2Т3130Г9/ПК, 2Т3130Д9/ПК, 2Т3130Е9/ПК
выполнены в пластмассовом корпусе КТ-46 и требующие дополнительных мер индивидуальной
или общей, в составе аппаратуры,
защиты от воздействия климатических и биологических факторов, предназначенные для работы в усилителях, генераторах,
стабилизаторах напряжения, аппаратуре специального назначения.
1. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И РАЗМЕРЫ.
1.1. Транзисторы изготавливают одного типа, шести типономиналов.
1.2. Основные параметры транзисторов соответствуют ОСТ 11 0403.
1.3. Размеры транзисторов соответствуют ГОСТ 18472.
1.4. Пример условного обозначения транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:
транзистор 2Т3117А/ПК АЕЯР.432140.259 ТУ.
Габаритный чертеж
Таблица 1 - Электрические
параметры транзисторов при приемке и поставке
|
Наименование параметра,
единица измерения,
(режим измерения)
|
Буквенное обозначение
|
Норма
|
Температура
окр.
среды, ºС
|
|
2Т3130А9/ПК
|
2Т3130Б9/ПК
|
2Т3130В9/ПК
|
2Т3130Г9/ПК
|
2Т3130Д9/ПК
|
2Т3130Е9/ПК
|
|
не менее
|
не более
|
не менее
|
не более
|
не менее
|
не более
|
не менее
|
не более
|
не менее
|
не более
|
не менее
|
не более
|
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
10
|
11
|
12
|
13
|
14
|
15
|
|
Граничное напряжение, В,
( IК= 10мА)
|
UКЭО гр
|
30
|
|
30
|
|
20
|
|
15
|
|
20
|
|
15
|
|
25
|
|
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В,
(IК= 10мА, IБ=1 мА)
|
UКЭ нас
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
25
|
|
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В,
(IК= 10мА, IБ=1 мА)
|
UКЭ нас
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
85
|
|
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В,
(IК= 10мА, IБ=1 мА)
|
UКЭ нас
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
-60
|
|
Напряжение насыщения
база-эмиттер, В, при
(IК = 10мА, IБ =1мА)
|
UБЭ нас
|
|
1,2
|
|
1,2
|
|
1,2
|
|
1,2
|
|
1,2
|
|
1,2
|
25
|
|
Обратный ток
коллектора, мкА,
(UКБ = 50 В)
|
IКБО
|
|
0,1
|
|
0,1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
25
|
|
IКБО
|
|
1,0
|
|
1,0
|
|
|
|
|
|
|
|
|
85
|
|
IКБО
|
|
0,1
|
|
0,1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
-60
|
|
Продолжение табл.2
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
10
|
11
|
12
|
13
|
14
|
15
|
|
 Обратный ток
коллектора, мкА,
(UКБ = 30 В)
|
IКБО
|
|
|
|
|
|
0,1
|
|
|
|
0,1
|
|
|
25
|
|
IКБО
|
|
|
|
|
|
1
|
|
|
|
1
|
|
|
85
|
|
IКБО
|
|
|
|
|
|
0,1
|
|
|
|
0,1
|
|
|
-60
|
|
Обратный ток
коллектора, мкА,
(UКБ = 20 В)
|
IКБО
|
|
|
|
|
|
|
|
0,1
|
|
|
|
0,1
|
25
|
|
IКБО
|
|
|
|
|
|
|
|
1
|
|
|
|
1
|
85
|
|
IКБО
|
|
|
|
|
|
|
|
0,1
|
|
|
|
0,1
|
-60
|
|
Обратный ток эмиттера, мкА,
(UЭБ = 5B)
|
IЭБО
|
|
5
|
|
5
|
|
5
|
|
5
|
|
5
|
|
5
|
25
|
|
Статический коэффициент
передачи тока
(UКБ =5 В, IЭ=2мА)
|
h21Э
|
100
|
250
|
200
|
500
|
200
|
500
|
400
|
1000
|
200
|
500
|
400
|
1000
|
25
|
|
h21Э
|
100
|
|
200
|
|
200
|
|
400
|
|
200
|
|
400
|
|
85
|
|
h21Э
|
25
|
250
|
50
|
500
|
50
|
500
|
100
|
1000
|
50
|
500
|
100
|
1000
|
-60
|
|
Модуль коэффициента передачи
тока на высокой частоте
(UКБ= 5 В, IЭ=10мА,
f =100 МГц)
|
/h21Э/
|
2
|
|
2
|
|
2
|
|
3
|
|
2
|
|
3
|
|
25
|
|
Коэффициент
шума, дБ
(UКЭ
=5В, IЭ=0,2мА,
f =1кГц,RГ
=2кОм)
|
КШ
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
4
|
|
4
|
25
|
|
Емкость
коллекторного перехода, пФ
(UКБ=10В, f=10
МГц )
|
СК
|
|
12
|
|
12
|
|
12
|
|
12
|
|
12
|
|
12
|
25
|
|
Емкость
эмиттерного перехода, пФ
(UЭБ=0,5В, f=10МГц
)
|
СЭ
|
|
20
|
|
20
|
|
20
|
|
20
|
|
20
|
|
20
|
25
|
Таблица 2 - Предельно допустимые значения параметров электрических режимов эксплуатации транзисторов
|
Наименование параметра
режима,
единица измерения
(режим измерения)
|
Буквенное обозначение
|
Норма
|
Примечание
|
|
2Т3130А9/ПК
|
2Т3130Б9/ПК
|
2Т3130В9/ПК
|
2Т3130Г9/ПК
|
2Т3130Д9/ПК
|
2Т3130Е9/ПК
|
|
Максимально
допустимое
постоянное напряжение
коллектор-база, В
|
UКБ max
|
50
|
50
|
30
|
20
|
30
|
20
|
1
|
|
Максимально
допустимое
постоянное напряжение
коллектор-эмиттер,
В,
(R
БЭ =
1кОм)
|
UКЭ max
|
40
|
40
|
20
|
15
|
20
|
15
|
1
|
|
Максимально
допустимое
постоянное напряжение
эмиттер-база,
В
|
UЭБ max
|
5
|
5
|
5
|
5
|
5
|
5
|
1
|
|
Максимально
допустимый постоянный ток коллектора, мА
|
IК max
|
100
|
100
|
100
|
100
|
100
|
100
|
1
|
|
Максимально
допустимый постоянный ток базы, мА
|
IБ max
|
20
|
20
|
20
|
20
|
20
|
20
|
1
|
|
Максимально
допустимая постоянная рассеивания мощность коллектора, мВт
|
РК max
|
200
|
200
|
200
|
200
|
200
|
200
|
2,3
|
|
Максимально
допустимая температура
перехода,
ºС
|
Tп max
|
125
|
125
|
125
|
125
|
125
|
125
|
|
Примечание. 1.Для всего диапазона температур.
2.При температуре окружающей
среды от минус 60 ºС до 25
ºС.
3.В диапазоне температур от 25 ºС до 85 ºС значение РК max снижается
линейно по закону:
PК max = Тп.max
– Токр.ср. , Rт п-с где Rт п-с - тепловое
сопротивление переход – среда, равное 500
ºС/Вт.
производство транзисторов полупроводиковых приборов диодов биполярные транзисторы краснознаменск
|
|
