|
|
2T313
Включен в перечень МОП 44001.03
Кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы
2Т313А/ПК, 2Т313А1/ПК, 2Т313А2/ПК, 2Т313А3/ПК (далее в тексте 2Т313А/ПК),
2Т313Б/ПК, 2Т313Б1/ПК, 2Т313Б2/ПК, 2Т313Б3/ПК (далее в тексте 2Т313Б/ПК)
выполнены в металлостеклянном корпусе КТ-1 и предназначены для работы в аппаратуре
специального назначения. Транзисторы удовлетворяют требованиям КС «Климат-7» и ГОСТ В 28146.
1. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И РАЗМЕРЫ.
1.1. Транзисторы изготавливают одного типа, восьми типономиналов.
1.2. Основные параметры транзисторов соответствуют ОСТ 11 0403.
1.3. Размеры транзисторов соответствуют ГОСТ 18472.
1.4. Пример условного обозначения транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:
транзистор 2Т3117А/ПК АЕЯР.432140.256 ТУ.
Габаритный чертеж
Таблица 1 -
Электрические параметры транзисторов при приемке и поставке
|
Наименование параметра,
единица измерения
(режим измерения)
|
Буквенное обозначение
|
Норма
|
Температура
окр.ср. ,°С
|
|
2Т313А/ПК
|
2Т313Б/ПК
|
|
не менее
|
не более
|
не менее
|
не более
|
|
Напряжение
насыщения коллектор-эмиттер,В (IК=150мА, IБ=15 мА)
|
UКЭнас
|
-
|
0,5
|
-
|
0,5
|
25
|
|
Напряжение
насыщения база-эмиттер,В (IК=150мА, IБ=15 мА)
|
UБЭнас
|
-
|
1,3
|
-
|
1,3
|
25
|
|
Обратный
ток коллектора, мкА
(UКБ=60В)
|
IКБО
|
-
|
0,5
|
-
|
0,5
|
25
|
|
-
|
5
|
-
|
5
|
125
|
|
-
|
0,5
|
-
|
0,5
|
-60
|
|
Обратный
ток эмиттера ,мкА
(UЭБ=5В)
|
IЭБО
|
-
|
0,5
|
-
|
0,5
|
25
|
|
Статический
коэффициент передачи тока (UКБ=10В, IЭ=1мА)
|
h21Э
|
30
|
120
|
80
|
300
|
25
|
|
30
|
240
|
80
|
600
|
125
|
|
15
|
120
|
30
|
300
|
-60
|
|
Модуль
коэффициента передачи тока на высокой частоте (UКЭ=20В, IК=50мА, f=100МГц)
|
/h21Э/
|
2
|
-
|
2
|
-
|
25
|
|
Емкость
коллекторного перехода, пФ (UКБ=10В, f=10МГц)
|
Cк
|
-
|
12
|
-
|
12
|
25
|
|
Постоянная
времени цепи обратной связи на высокой частоте ), нс (UКБ=5В, IЭ=1 мА, f=30МГц)
|
τк
|
-
|
120
|
-
|
120
|
25
|
Таблица 2 - Предельно допустимые значения параметров
электрических
режимов эксплуатации транзисторов
|
Наименование параметра,
единица
измерения
(режим измерения)
|
Буквенное обозначение
|
Норма
|
Примечание
|
|
2Т313А/ПК
|
2Т313Б/ПК
|
|
Максимально
допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В
|
UКБmax
|
60
|
60
|
1
|
|
Максимально допустимое
постоянное напряжение коллектор-эмиттер,В (RБЭ=1
кОм)
|
UКЭmax
|
50
|
50
|
1
|
|
Максимально допустимое
постоянное напряжение эмиттер-база,
В
|
UЭБmax
|
5
|
5
|
1
|
|
Максимально допустимый
постоянный ток коллектора, А
|
IКmax
|
0,35
|
0,35
|
1
|
|
Максимально допустимый
постоянный ток коллектора с применением теплоотвода, А
|
IКmax
|
0,6
|
0,6
|
1
|
|
Максимально допустимый
импульсных ток коллектора, А (τи≤1мкс, Q ≥ 10)
|
IК и max
|
0,7
|
0,7
|
1
|
|
Максимально допустимый
постоянный ток базы, А
|
IБmax
|
0,15
|
0,15
|
1
|
|
Максимально допустимая
постоянная рассеиваемая мощность коллектора,Вт (tокр.ср.до
50°С)
|
PК max
|
0,3
|
0,3
|
2
|
|
Максимально допустимая
постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом ,Вт
(tокр.ср.=
-60°С ÷ 30°С)
|
PК max
|
1,5
|
1,5
|
3
|
|
Максимально допустимая импульсная рассеиваемая
мощность, Вт (τи≤1мкс,
Q≥10)
|
PКи max
|
1
|
1
|
4
|
|
Максимально допустимая
температура перехода, °С
|
tпер.max
|
150
|
150
|
|
Примечания 1. Для всего
диапазона рабочих температур от минус 60 до плюс 125°С.
2. При
температуре окружающей среды более плюс 50°С значение РКmax снижается линейно по закону:
|
РКmax=
|
150 – tокр.ср
|
|
Rт п-с
|
где Rт п-с
– тепловое сопротивление транзистора
(переход
–окружающая среда) =330°С/Вт
3. При температуре корпуса выше плюс 30°С
значение РКmax
снижается линейно по закону:
|
РКmax=
|
150 – tокр.ср
|
|
Rт, п-корп
|
где Rт п-корп –
тепловое сопротивление транзистора (переход-корпус) = 80°С/Вт.
4. При температуре корпуса выше плюс 30°
значение РК и max
снижается линейно по закону:
|
РКmax=
|
150 – tокр.ср
|
|
Rт ,и п-корп
|
где Rт,и п-корп
–импульсное тепловое сопротивление
транзистора
(переход-корпус) =
25°С/Вт
производство транзисторов полупроводиковых приборов диодов биполярные транзисторы краснознаменск
|
|
