|
|
2T3129
Включен в перечень МОП 44001.03
Кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы
2Т3129А9/ПК, 2Т3129Б9/ПК, 2Т3129В9/ПК, 2Т3129Г9/ПК, 2Т3129Д9/ПК
выполнены в пластмассовом корпусе КТ-46 , требующие дополнительных мер индивидуальной или общей, в составе аппаратуры,
защиты от воздействия климатических и биологических факторов, предназначенные для работы в усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения, аппаратуре специального назначения.
Транзисторы удовлетворяют требованиям КС «Климат-7» и ГОСТ В 28146.
1. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И РАЗМЕРЫ.
1.1. Транзисторы изготавливают одного типа, пяти типономиналов.
1.2. Основные параметры транзисторов соответствуют ОСТ 11 0403.
1.3. Размеры транзисторов соответствуют ГОСТ 18472.
1.4. Пример условного обозначения транзисторов при заказе и в конструкторской документации другой продукции:
транзистор 2Т3117А/ПК АЕЯР.432140.258 ТУ.
Габаритный чертеж
Таблица 1 - Электрические параметры транзисторов при
приемке и поставке
|
Наименование
параметра, единица измерения
(режим измерения)
|
Буквенное обозначение
|
Норма
|
Температура
окр. среды, ºС
|
|
2Т3129А9/ПК
|
2Т3129Б9/ПК
|
2Т3129В9/ПК
|
2Т3129Г9/ПК
|
2Т3129Д9/ПК
|
|
не менее
|
не более
|
не менее
|
не более
|
не менее
|
не более
|
не менее
|
не более
|
не менее
|
не более
|
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
10
|
11
|
12
|
13
|
|
Граничное напряжение, В
( IК= 10мА)
|
UКЭО гр
|
40
|
|
40
|
|
20
|
|
20
|
|
15
|
|
25
|
|
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В
(IК= 10мА, IБ=1 мА)
|
UКЭ нас
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
25
|
|
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В
(IК= 10мА, IБ=1 мА)
|
UКЭ нас
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
85
|
|
Напряжение насыщения
коллектор-эмиттер, В
(IК= 10мА, IБ=1 мА)
|
UКЭ нас
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
|
0,2
|
-60
|
|
Напряжение насыщения
база-эмиттер ,В
(IК = 10мА, IБ =1 мА)
|
UБЭ нас
|
|
1,0
|
|
1,0
|
|
1,0
|
|
1,0
|
|
1,0
|
25
|
|
Обратный ток
коллектора, мкА
(UКБ = 50 В)
|
IКБО
|
|
0,5
|
|
0,5
|
|
|
|
|
|
|
25
|
|
IКБО
|
|
5
|
|
5
|
|
|
|
|
|
|
85
|
|
IКБО
|
|
0,5
|
|
0,5
|
|
|
|
|
|
|
-60
|
|
Продолжение
табл.1.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
10
|
11
|
12
|
13
|
|
Обратный ток
коллектора, мкА
(UКБ = 30 В)
|
IКБО
|
|
|
|
|
|
0,5
|
|
0,5
|
|
|
25
|
|
IКБО
|
|
|
|
|
|
5
|
|
5
|
|
|
85
|
|
IКБО
|
|
|
|
|
|
0,5
|
|
0,5
|
|
|
-60
|
|
Обратный ток коллектора,
мкА
(UКБ = 20 В)
|
IКБО
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,5
|
25
|
|
IКБО
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5
|
85
|
|
IКБО
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
0,5
|
-60
|
|
Обратный ток эмиттера, мкА
(UЭБ = 5B)
|
IЭБО
|
|
5
|
|
5
|
|
5
|
|
5
|
|
5
|
25
|
|
Статический коэффициент
передачи тока
(UКБ = 5 В, IЭ=2 мА)
|
h21Э
|
30
|
120
|
80
|
250
|
80
|
250
|
200
|
500
|
200
|
500
|
25
|
|
h21Э
|
30
|
300
|
80
|
600
|
80
|
600
|
200
|
1000
|
200
|
1000
|
85
|
|
h21Э
|
15
|
120
|
30
|
250
|
30
|
250
|
80
|
500
|
80
|
500
|
-60
|
|
Модуль коэффициента
передачи тока на высокой частоте
(UКБ = 5 В, IЭ =10 мА,
ƒ =100 МГц)
|
/h21Э/
|
2
|
|
2
|
|
2
|
|
2
|
|
2
|
|
25
|
|
Емкость коллекторного
перехода, пФ
(UКБ =10 В, ƒ = 10 МГц)
|
СК
|
|
12,5
|
|
12,5
|
|
12,5
|
|
12,5
|
|
12,5
|
25
|
|
Емкость эмиттерного
перехода, пФ
(UЭБ =0,5 В, ƒ = 10 МГц)
|
СЭ
|
|
30
|
|
30
|
|
30
|
|
30
|
|
30
|
25
|
Таблица 2 - Предельно допустимые
значения параметров электрических режимов
эксплуатации транзисторов
|
Наименование параметра
режима,
единица измерения
(режим измерения)
|
Буквенное обозначение
|
Норма
|
Примечание
|
|
2Т3129А9/ПК
|
2Т3129Б9/ПК
|
2Т3129В9/ПК
|
2Т3129Г9/ПК
|
2Т3129Д9/ПК
|
|
Максимально
допустимое
постоянное напряжение
коллектор-база, В
|
UКБ max
|
50
|
50
|
30
|
30
|
20
|
1
|
|
Максимально
допустимое
постоянное напряжение
коллектор-эмиттер,
В
(R БЭ = 1кОм)
|
UКЭ max
|
40
|
40
|
20
|
20
|
20
|
1
|
|
Максимально
допустимое
постоянное напряжение
эмиттер-база,
В
|
UЭБ max
|
5
|
5
|
5
|
5
|
5
|
1
|
|
Максимально
допустимый постоянный ток коллектора, мА
|
IК max
|
100
|
100
|
100
|
100
|
100
|
1
|
|
Максимально
допустимый импульсный ток коллектора, мА
( Q ≥ 10,tИ = 1мкс)
|
IК,и max
|
200
|
200
|
200
|
200
|
200
|
1
|
|
Максимально
допустимая постоянная рассеивания мощность коллектора, мВт
|
РК max
|
200
|
200
|
200
|
200
|
200
|
2,3
|
|
Максимально
допустимая импульсная рассеиваемая мощность транзистора, мВт (Q
≥ 10, tИ ≤ 1мкс )
|
Ри max
|
300
|
300
|
300
|
300
|
300
|
2
|
|
Максимально
допустимая температура
перехода,
ºС
|
Тп max
|
125
|
125
|
125
|
125
|
125
|
|
Примечания:
1.В диапазоне температур среды от минус 60 ºС до плюс 85 ºС.
2.При температуре окружающей среды от
минус 60 ºС до 25 ºС.
3.В диапазоне температур среды
от 25 ºС до 85 ºС значение РК max
снижается линейно по закону:
PК max= Тп max
– Tокр.ср. , Rт(п-с)
где Rт(п-с) -
тепловое сопротивление переход -
среда
производство транзисторов полупроводиковых приборов диодов биполярные транзисторы краснознаменск
|
|
